DMTH69M8LFVWQ-7
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMTH69M8LFVWQ-7
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
37,12 руб.
Внешние склады
-
189+ 276+ 550+ 2744+45,32 ₽ 39,09 ₽ 38,10 ₽ 37,12 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 189Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMTH69M8LFVWQ-7
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 45.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 33.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Время спада | 15.7 ns |
| Время нарастания | 8.6 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMTH69M8LFVWQ-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара