DMN3016LDN-7
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN3016LDN-7
Производитель:
Описание Eng:
30V 7.3A 24mOhm@4.5V 1.1W 2V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
21,02 руб.
Внешние склады
-
338+ 490+ 980+ 4899+25,67 ₽ 22,14 ₽ 21,58 ₽ 21,02 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 338Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN3016LDN-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | V-DFN3030-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN3016 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Время нарастания | 16.5 ns, 16.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26.1 ns, 26.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns, 4.8 ns |
| Qg - заряд затвора | 25.1 nC, 25.1 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN3016LDN-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара