DMN10H170SK3-13, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN10H170SK3-13
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
19,04 руб.
Внешние склады
-
377+ 547+ 1094+ 5470+23,24 ₽ 20,05 ₽ 19,54 ₽ 19,04 ₽Срок:25 днейНаличие:7 500Минимум:Мин: 377Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN10H170SK3-13
| Серия | DMN10 |
|---|---|
| Вес изделия | 490 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 11.1 ns |
| Время спада | 12.8 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 42.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN10H170SK3-13
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара