DMN2013UFDE-7, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN2013UFDE-7
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 6-Pin DFN EP T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
14,40 руб.
Нет в наличии
Описание DMN2013UFDE-7
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | DMN2013 |
| Pd - рассеивание мощности | 660 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 6.750 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 24.5 ns |
| Время спада | 20.8 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.4 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Qg - заряд затвора | 25.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 66.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.9 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN2013UFDE-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара