DMN65D8LFB-7B, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
6,77 руб.
Внешние склады
-
1064+ 1557+ 3087+ 15448+8,26 ₽ 7,12 ₽ 6,94 ₽ 6,77 ₽Срок:25 днейНаличие:20 000Минимум:Мин: 1 064Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN65D8LFB-7B
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN65 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 840 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 6.29 ns |
| Время нарастания | 3.15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 12.025 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.27 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN65D8LFB-7B
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара