TP2640N3-G, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
443,92 руб.
Внешние склады
-
17+ 24+ 47+ 235+542,12 ₽ 467,49 ₽ 455,70 ₽ 443,92 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 17Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание TP2640N3-G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Bulk |
| Тип | FET |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 40 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 Ohms |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TP2640N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 338 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1154 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 366 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара