VP2206N3-G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
VP2206N3-G
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание VP2206N3-G
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Bulk |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 640 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Тип | FET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка VP2206N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 248 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара