TN0104N3-G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TN0104N3-G
Производитель:
Описание Eng:
D-MOSFET, N-CH, 0.45A, 40V, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:450mA; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
159,72 руб.
Внешние склады
-
45+ 66+ 131+ 652+195,05 ₽ 168,20 ₽ 163,96 ₽ 159,72 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 45Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание TN0104N3-G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Bulk |
| Тип | FET |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 5 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 450 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Время нарастания | 7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TN0104N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара