VN2106N3-G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
VN2106N3-G
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
55,59 руб.
Внешние склады
-
129+ 188+ 375+ 1871+67,89 ₽ 58,54 ₽ 57,07 ₽ 55,59 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 129Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание VN2106N3-G
| Тип | FET |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 5.21 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка VN2106N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 148 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара