IXTP60N20T
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTP60N20T
Производитель:
Описание Eng:
DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-220AB/FP | Series: Gen1;VDSS (V): 200; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.04; ID, cont @ 25 °C (A): 60; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.04; Gate Charge (nC): 73
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
212,08 руб.
Внешние склады
-
35+ 51+ 101+252,30 ₽ 217,57 ₽ 212,08 ₽Срок:25 днейНаличие:450Минимум:Мин: 35Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IXTP60N20T
| Вес изделия | 350 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTP60N20 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 73 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP60N20T
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара