IXFN100N50Q3
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN100N50Q3
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IXFN100N50 |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 960 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 82 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 49 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 255 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 250 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN100N50Q3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара