IXFH20N85X
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH20N85X
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
253,89 руб.
Внешние склады
-
29+ 43+ 85+302,04 ₽ 260,46 ₽ 253,89 ₽Срок:25 днейНаличие:360Минимум:Мин: 29Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IXFH20N85X
| Вес изделия | 38 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 540 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 28 ns |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH20N85X
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара