IXFH160N15T2
Цена от:
357,86 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH160N15T2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH160N15 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 880 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchT2, HiperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 160 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 253 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 26 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH160N15T2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара