IXTQ82N25P
Цена от:
354,69 руб.
Нет в наличии
Описание IXTQ82N25P
| Серия | IXTQ82N25 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 5.500 g |
| Высота | 20.3 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Длина | 15.8 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 82 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Типичное время задержки выключения | 78 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Документы и сертификаты
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTQ82N25P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 260 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара