IXTH52N65X
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTH52N65X
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 650V/9A Power MOSFET
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
718,73 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH52N65X
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 660 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 68 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 113 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 57 ns |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH52N65X
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 174 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара