IXFH110N25T
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH110N25T
Производитель:
Описание Eng:
DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-247AD | Series: Gen1;VDSS (V): 250; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.026; ID, cont @ 25 °C (A): 110; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.026; Gate Charge (nC): 157
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
660,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH110N25T
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | IXFH110N25T |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 694 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 157 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH110N25T
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара