IXTT110N10L2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTT110N10L2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thre 03AH1811
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
2 366,57 руб.
Нет в наличии
Описание IXTT110N10L2
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTT110N10 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 260 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 130 ns |
| Типичное время задержки выключения | 99 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTT110N10L2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 137 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара