IXTQ69N30P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTQ69N30P
Производитель:
Описание Eng:
Disc Mosfet N-CH Std-Polar TO-3P (3) | Series: Polar;VDSS (V): 300; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.049; ID, cont @ 25 °C (A): 69; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.049; Gate Charge (nC): 156
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
1 043,59 руб.
Внешние склады
-
8+ 11+ 21+1 241,50 ₽ 1 070,58 ₽ 1 043,59 ₽Срок:25 днейНаличие:90Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IXTQ69N30P
| Вес изделия | 5.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTQ69N30 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Высота | 20.3 mm |
| Длина | 15.8 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 69 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 49 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTQ69N30P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара