IXTA76P10T
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTA76P10T
Производитель:
Описание Eng:
DiscMSFT PChan-Trench Gate TO-263D2 | Series: Trench Gate;VDSS (V): -100; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.025; ID, cont @ 25 °C (A): -76; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.025; Gate Charge (nC): 197
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
789,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXTA76P10T
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTA76P10 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | TrenchP Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-263AA-3 |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 9.65 mm |
| Ширина | 10.41 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 298 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchP |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 197 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 40 ns |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTA76P10T
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара