IXTP2R4N120P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTP2R4N120P
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
431,63 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP2R4N120P
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXTP2R4N120 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 32 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP2R4N120P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара