IXFK26N120P
Цена от:
2 210,08 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK26N120P
| Вес изделия | 10 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFK26N120 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Высота | 26.16 mm |
| Длина | 19.96 mm |
| Ширина | 5.13 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 960 W |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
| Qg - заряд затвора | 255 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 58 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Типичное время задержки выключения | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFK26N120P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 712 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 3038 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1628 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 1201 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 657 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара