IXFK120N65X2
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 311,69 руб.
Описание IXFK120N65X2
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 120 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Тип корпуса | TO-264P |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 24 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.7V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 кВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.4V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 20.3мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 240 нКл при 10 В |
| Высота | 5.3мм |
| Ширина | 26.3мм |
| Серия | HiperFET, X2-Class |
| Материал транзистора | Кремний |
