IXTH34N65X2
Цена от:
429,72 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH34N65X2
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Тип | X2-Class |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 6 g |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 96 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 540 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 48 ns |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH34N65X2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 247 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара