IXFH120N20P

Код товара: 981967

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXFH120N20P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation
Нормоупаковка:
30 шт

Описание IXFH120N20P

Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXFH120N20P
УпаковкаTube
ТипPolarHT HiPerFET Power MOSFET
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Ширина5.3 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности714 W
Коммерческое обозначениеPolarHT, HiPerFET
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки120 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток22 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора152 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время спада31 ns
Время нарастания35 ns
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении30 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.40 S

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IXFH120N20P в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 244
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.