IXGH16N170

Код товара: 981999

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXGH16N170
Описание Eng:
IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
В упаковке:
30 шт

Описание IXGH16N170

Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXGH16N170
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247AD-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Ширина5.3 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности190 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C32 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.80 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Непрерывный коллекторный ток32 A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IXGH16N170 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2425
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.