IXTP3N100P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTP3N100P
Производитель:
Описание Eng:
Disc Mosfet N-CH Std-Polar TO-220AB/FP | Series: Polar;VDSS (V): 1000; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 4.8; ID, cont @ 25 °C (A): 3; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 4.8; Gate Charge (nC): 39
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP3N100P
| Вес изделия | 2.300 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTP3N100 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Коммерческое обозначение | Polar |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.8 V |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 29 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP3N100P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара