IXFH18N100Q3
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH18N100Q3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CHANNEL, 1KV, 18A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):0.66ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:6.5V;
В упаковке:
30 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
2 737,13 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH18N100Q3
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH18N100 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 660 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 33 ns |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH18N100Q3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара