IXFN210N30P3
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN210N30P3
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Серия | IXFN210N30 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 30 g |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 kW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 192 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 94 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN210N30P3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара