IXFN210N20P
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN210N20P
| Серия | HiPerFET |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Упаковка | Tube |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.07 kW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 188 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN210N20P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара