IXXN110N65C4H1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXXN110N65C4H1
Производитель:
Описание Eng:
Disc IGBT XPT-GenX4 SOT-227UI(mini | Series: Trench;VCES (V): 650; IC @ 25 °C (A): 210; VCE(sat) (V): 2.35; IC @ 25 °C (A): 210; tfi (ns): 35
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
4 241,45 руб.
Нет в наличии
Описание IXXN110N65C4H1
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX28 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 750 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.98 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 210 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXXN110N65C4H1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара