IXTH10N100D2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTH10N100D2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, 10A, 1KV, 695W, TO-247;
В упаковке:
30 шт
Цена от:
2 690,16 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH10N100D2
| Вес изделия | 6 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 695 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 200 nC |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 164 ns |
| Время нарастания | 36 ns |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH10N100D2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
