IXTH02N250
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTH02N250
Производитель:
Описание Eng:
DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
В упаковке:
30 шт
Цена от:
1 642,28 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH02N250
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTH02N250 |
| Тип | High Voltage Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 2.5 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 7.4 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 88 mS |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH02N250
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
