IXFH150N17T2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH150N17T2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 175V 150A
В упаковке:
30 шт
Цена от:
1 269,40 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH150N17T2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH150N17 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 880 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 175 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 233 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 165 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH150N17T2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
