IXTK200N10L2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTK200N10L2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:200A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresho
Нормоупаковка:
25 шт
Цена от:
3 742,73 руб.
Нет в наличии
Описание IXTK200N10L2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXTK200N10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 26.16 mm |
| Длина | 19.96 mm |
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
| Ширина | 5.13 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 7.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 540 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 1.04 mW |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 225 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 127 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTK200N10L2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара