ЕДИНИЧНЫЕ IGBT

     Наиболее популярными ключевыми элементами до середины 80-х г.г., являлись MOSFET транзисторы, но в связи с малым напряжением стока, имели ограниченную область применения. Для повышения коммутируемого напряжения возникла идея объединить между собой два прибора в одном корпусе - низковольтный полевой транзистор (малый ток управления) и мощный биполярный (большие коммутируемые токи и напряжения). Реализация идеи не заставила себя долго ждать и в начале 90-х г.г. в каталогах ряда фирм (среди которых одной из первых была фирма «International Rectifier») появились транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

Обозначается этот тип транзисторов следующим образом:

Где
G - затвор (управление),
E - эмиттер и
C - коллектор
- назначение этих выводов аналогично биполярным транзисторам, таким образом, IGBT представляет собой высоковольтный биполярный транзистор, управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора.


     Также для сокращения числа внешних компонентов, в транзистор может быть встроен мощный высокочастотный демпферный диод (обычно подключен: эмиттер транзистора - анод диода, коллектор транзистора - катод диода)

Отличительные черты:
  • IGBT имеет отличные временные характеристики переключения, но несколько уступает MOSFET в быстродействии. Однако область безопасной работы IGBT позволяет, без применения дополнительных цепей формирования траектории переключения, успешно обеспечить его надeжную работу на частотах до 40 кГц (в резонансном режиме возможна работа с частотами более 200 кГц) при номинальных токах в десятки ампер.
  • Прямое падение напряжения на транзисторе в полностью открытом состоянии при коммутируемом напряжении 600-1200 В составляет 1,4- 3,1 В (как у биполярных транзисторов), что является значительно лучшим показателем, чем у силовых MOSFET (с таким же коммутируемым напряжением).
     Основным применением данных устройств являются цепи коммутации высокого напряжения (600...1200 В) и тока (13...70 А) - мощные импульсные источники питания, электропривод, преобразователи энергии и т.д.

Основные параметры:

Uкэ.макс. - Mаксимальное напряжение коллектор-эмиттер
Iк.макс. - Mаксимальный продолжительный ток коллектора при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает в ~2 раза, при работе в импульсном режиме - повышается в ~2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pк. макс. - Максимальная рассеиваемая коллектором мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности падает в ~2,5 раза
Uнас.кэ. - Типовое падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер в полностью открытом состоянии
tзад.выкл. - Максимальное время задержки на выключение транзистора - время которое пройдет от момента, при выключении, когда напряжение управления спадет до 90% от номинала, до момента когда ток коллектора также спадет до 90% от номинального
tвыкл. - Максимальное время выключения - время необходимое транзистору (после выдержки tзад.выкл) для уменьшения тока коллектора с 90% до 10% от номинального

Наименование Uкэ макс, В Iк макс, А Pк макс., Вт Uнас.кэ, В tзад.выкл, нс tзад.вкл, нс
    В корпусе TO-220
IRG4BC20U 600 13 60 1,85 130 180
IRG4BC20UD* 600 13 60 1,85 140 170
IRG4BC30F 600 31 100 1,59 300 270
IRG4BC30FD* 600 31 100 1,59 350 230
IRG4BC30K 600 28 100 2,21 200 170
IRG4BC30S 600 34 100 1,4 810 590
IRG4BC30U 600 23 100 1,95 120 150
IRG4BC30UD* 600 23 100 1,95 140 130
IRG4BC30W 600 23 100 2,7 150 100
IRG4BC40F 600 49 160 2 410 420
IRG4BC40U 600 40 160 1,72 175 180
BUP212 1200 22 125 2,5 570 120
BUP213 1200 32 200 2,7 530 95
    В корпусе TO-247
IRG4PC30KD* 600 28 100 2,21 250 120
IRG4PC30UD* 600 23 100 1,95 140 130
IRG4PC30W 600 23 100 2,7 150 100
IRG4PC40KD* 600 42 160 2,1 160 150
IRG4PC40U 600 40 160 1,72 175 180
IRG4PC50FD* 600 70 200 1,45 360 210
IRG4PC50K 600 52 200 1,84 240 120
IRG4PC50KD* 600 52 200 1,84 220 140
IRG4PC50U 600 55 200 1,65 260 130
IRG4PC50UD* 600 55 200 1,65 230 110
IRG4PC50W 600 55 200 2,3 86 180
IRG4PF50W 900 51 200 2,25 170 220
IRG4PH30K 1200 20 100 3,1 300 170
IRG4PH40KD* 1200 30 160 2,74 140 330
IRG4PH40U 1200 41 160 2,43 330 270
IRG4PH50K 1200 45 200 2,77 300 190
IRG4PH50UD* 1200 45 200 2,78 170 260
IRG4PSC71UD* 600 85 350 1,67 368 167
IRGPS40B120UD* 1200 80 595 3,12 365 33
IXGH12N100A 1000 24 100 4 850 500
IXGH28N30B 300 56 150 2,1 50 55
IXGH50N60B 600 75 300 2,5 200 150
    В корпусе TO-218
BUP313 1200 32 200 2,7 530 95
BUP314 1200 52 300 2,7 560 60
    *Встроенный демпфирующий диод
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
154 шт.
Цена от:
138,23
К продаже:
123 шт.
Цена от:
814,77
К продаже:
88 шт.
Цена от:
905,97
К продаже:
8 шт.
Цена от:
437,45
К продаже:
26 шт.
Цена от:
6 239,19
К продаже:
1 шт.
Цена от:
753,95
К продаже:
64 шт.
Цена от:
1 860,70
К продаже:
239 шт.
Цена от:
824,83
К продаже:
173 шт.
Цена от:
997,44
К продаже:
382 шт.
Цена от:
176,96
К продаже:
65 шт.
Цена от:
228,42
К продаже:
126 шт.
Цена от:
899,57
К продаже:
5 шт.
Цена от:
299,67
К продаже:
429 шт.
Цена от:
242,11
К продаже:
50 шт.
Цена от:
262,14
  • Производитель
    Корпус
    Описание
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
TO-247AC
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
D2Pak (TO-263)
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
TO-220
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт