8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRG4PF50WPBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC p

Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 67537
Дата обновления: 12.12.2018 10:30
Цена за 1шт: 330.47 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 50 шт: 259.180 руб.
от 25 шт: 269.040 руб.
от 10 шт: 282.960 руб.
от 5 шт: 306.710 руб.
от 1 шт: 330.470 руб.
87 штНа складе1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 350 шт: 242.310 руб.
от 70 шт: 246.636 руб.
от 18 шт: 253.126 руб.
от 14 шт: 263.942 руб.
409 шт.3 раб. дн.1 шт.14 шт.
от 291 шт: 290.769 руб.
от 59 шт: 295.961 руб.
от 15 шт: 303.749 руб.
от 2 шт: 316.728 руб.
800 шт.7 раб. дн.1 шт.2 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
25 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
900 В
Макс. ток коллектора
51 А
Импульсный ток коллектора макс.
204 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.7 В
Макс. рассеиваемая мощность
200 Вт
Переключаемая энергия
190 мкДж
Заряд затвора
160 нКл
Время задержки вкл./выкл.
29 нс/110 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
12 шт.
Интернет-магазин
1296 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ ,В900
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A51
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.25
Управляющее напряжение,В6
Мощность макс.,Вт200
Крутизна характеристики, S39
Температурный диапазон,С-55…150
Корпусto-247

C этим товаром покупают:

Микросхемы
MC33202DR2G
Цена от
16.87 руб.
Индуктивные компоненты
SDR0604-100ML
Цена от
13.42 руб.
Транзисторы
STGW45HF60WD
Цена от
173.31 руб.
Резисторы
RC0603FR-0782KL
Цена от
0.07 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке