IRG4PF50WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Obsolete
900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC p
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRG4PF50WPBF
Документы:
Описание IRG4PF50WPBF
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 900 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 51 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.25 |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Мощность макс.,Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | 39 |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Корпус | to-247 |
Сообщите мне о поступлении товара