d-pak

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
d-pak (351)
BT137S-800F,118 Симистор 800В 8А 52мА 4Q Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: DPAK Triac Type: Standard Voltage - Off State: 800V Current - On State (It (RMS)) (Max): 8A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 25mA Current - Hold (Ih) (Max): 20mA
Наличие:
2 420 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,26
STD16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 401 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 196,14
IRLR7833TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140А Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 153 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
245 шт
Цена от:
от 56,16
STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
821 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 48,72
STD60NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
692 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 75,72
STD20NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
631 шт

Под заказ:
630 шт
Цена от:
от 66,12
IRLR7833TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140А Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
245 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 153 шт
Цена от:
от 76,44
STD3NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.7нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
120 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 95,04
STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 48 Вт Переключаемая энергия: 1.15 мДж
Наличие:
25 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 142,86
STD30NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
12 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 113,52
STGD6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 21 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 20 мкДж
Наличие:
12 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 82,26
STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
562 шт
Цена от:
от 160,50
BTA204S-800E,118 Симистор 800В 4А 10мА 3Q Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: DPAK Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 800V Current - On State (It (RMS)) (Max): 4A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10mA Current - Hold (Ih) (Max): 12mA
Наличие:
0 шт

Под заказ:
600 шт
Цена от:
от 122,82
IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
83 148 шт

Под заказ:
14 450 шт
Аналоги:
79 343 шт
Цена от:
от 15,00
IRLR024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
30 122 шт

Под заказ:
3 330 шт
Цена от:
от 19,08