darlington

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
darlington (93)
MJD117T4 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
2 106 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,05
BD681 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А
Наличие:
1 113 шт

Под заказ:
11 000 шт
Аналоги:
979 шт
Цена от:
от 11,86
MJD122T4 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
787 шт

Под заказ:
1 785 шт
Цена от:
от 48,53
BCV47E6327HTSA1 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А, 0.36 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 360 мВт Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
5 691 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 765 шт
Цена от:
от 8,21
BCV49H6327XTSA1 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
1 960 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 30,69
TIP127 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
92 шт

Под заказ:
50 шт
Цена от:
от 38,07
MJD112T4 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
700 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,82
TIP122 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
5 906 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 24,20
BDW93CFP Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 12 А, 33Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 12 А
Наличие:
107 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 110,64
BSP51 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5А Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
67 шт

Под заказ:
25 000 шт
Цена от:
от 10,85
BD682 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
1 301 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,03
BD681 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-126
Наличие:
979 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 113 шт
Цена от:
от 59,84
TIP142T Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
58 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 139,00
BD679A Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
942 шт

Под заказ:
530 шт
Цена от:
от 16,10
BSP60H6327XTSA1 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А, 1.5 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт
Наличие:
456 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 43,03