8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А   

MJD122T4

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ST Microelectronics

Описание

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219126
Дата обновления: 23.09.2017 17:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 1 шт: 16.69 руб.
от 100 шт: 11.92 руб.
от 500 шт: 10.02 руб.
1216 шт 1 день1 шт.3 шт.
Розничный магазин: 0 шт.
Удаленные склады
Склад №659.29 руб.65000 шт.15 дн.2500 шт.2500 шт.
Склад №169.31 руб.30548 шт.7 дн.1 шт.344 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.66 г
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
20 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122G
ONSDPAK-30.00012.811500
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25212.00106912.4392500

Поделиться:
сообщение об ошибке