mmbt5551

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
mmbt5551 (11)
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
0.6 А
Наличие:
43 311 шт

Под заказ:
221 536 шт
Аналоги:
617 844 шт
Цена от:
от 0,50
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Наличие:
19 553 шт

Под заказ:
7 000 шт
Аналоги:
856 138 шт
Цена от:
от 3,36
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
168 176 шт
Аналоги:
714 515 шт
Цена от:
от 0,91
MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
17 206 шт

Под заказ:
312 500 шт
Аналоги:
552 985 шт
Цена от:
от 1,13
MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
4 409 шт

Под заказ:
39 000 шт
Аналоги:
839 282 шт
Цена от:
от 2,26
MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
50 000 шт
Аналоги:
832 691 шт
Цена от:
от 2,64
SMMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Коэффициент усиления hFE:
80
Наличие:
0 шт

Под заказ:
42 000 шт
Цена от:
от 2,63
MMBT5551Q Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
66 000 шт
Цена от:
от 1,81
MMBT5551Q-7 160V NPN Small Signal Transistor
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Под заказ:
21 000 шт
Цена от:
от 6,00
SMMBT5551LT3G HIGH VOLTAGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 21,95
MMBT5551G-B-AE3-R Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 350mW Surface Mount SOT-23
Производитель:
Unisonic Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
93 000 шт
Цена от:
от 1,36