mmbt5551

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
mmbt5551 (3)
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 350 mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
1 995 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,17
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 350 mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт
Под заказ:
134 230 шт
Цена от:
от 1,00
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd
Наличие:
0 шт
Под заказ:
54 000 шт
Цена от:
от 0,76