Главная
Результаты поиска "mosfet n-канал"

mosfet n-канал

Фильтр

Спецпредложения
Новинки

Все товары
Одиночные MOSFET транзисторы (1067)
Сборки MOSFET транзисторов (43)
Радиочастотные (RF FET) транзисторы (4)
Силовые MOSFET модули (3)
Транзисторы на основе карбида кремния (SIC) (3)
Транзисторы управляемые p-n переходом (1)
Силовые ключи (1)

Показывать:

Все

В наличии

В Розничном магазине. Екатеринбург, ул. Колмогорова 70

mosfet n-канал (1122)

IRF3808STRLPBF Транзистор полевой MOSFET MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 609 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 168,47₽

2N7002 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 421 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

784 452 шт

Цена от:

от 1,30₽

IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

545 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,60₽

IPT007N06NATMA1 Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF Производитель: Infineon Technologies Корпус: HSOF8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300A(Tc) Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм @ 150А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 280 µA Заряд затвора: 216нКл @ 10В Входная емкость: 16000пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

699 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 281,50₽

STD2HNK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 4.4 Ом, 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 393 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 507 шт

Цена от:

от 38,75₽

IRFR3411TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

487 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 51,50₽

IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

152 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 176,14₽

IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

60 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,01₽

STW55NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 5800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

58 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 548,36₽

IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

186 762 шт

Под заказ:

20 500 шт

Аналоги:

720 338 шт

Цена от:

от 7,72₽

IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-SOT223-4 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.6A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 198 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 30,53₽

IRFI4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 19А 46Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4480пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 184 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 123,86₽

IRFR1010ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 446,95₽

STD20NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

154 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 44,58₽

STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

201 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 107,91₽