sot223

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot223 (530)
BCP53,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.35 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
145 МГц
Наличие:
5 587 шт

Под заказ:
700 шт
Аналоги:
5 120 шт
Цена от:
от 12,12
BCP51,115 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А, 1 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
145 МГц
Наличие:
3 181 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,40
STN83003 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1.5 А, 1.6 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
16
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 153 шт

Под заказ:
570 шт
Цена от:
от 24,22
BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 879 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,78
BCP53-10T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
1 736 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,06
NSI45030AZT1G Стабилизатор тока для LED-драйверов 45 В 30 мА ±10% 1,4 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
1 100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 22,89
BSP75NTA Интеллектуальный ключ нижнего плеча, 60 В, 0.7 А, 1.8 Вт, Automotive
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
1 050 шт

Под заказ:
5 190 шт
Аналоги:
23 745 шт
Цена от:
от 76,03
FZT953TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
Наличие:
1 014 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,68
P0102DN 5AA4 Тиристор 400В 0,8А 200мкА (Логический уровень)
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение закрытого состояния:
400В
Напряжение управления (Vgt) (макс.):
800мВ
Ток управления (Igt) (макс.):
200мкА
Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):
1.95В
Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):
500мА
Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):
800мА
Ток удержания (Ih) (Макс.):
5мА
Ток утечки (макс.):
10мкА
Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):
7А, 8А
Тип тиристора:
Повышенной чувствительности
Наличие:
808 шт

Под заказ:
11 000 шт
Цена от:
от 7,52
FZT705TA Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 2 А, 2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
120 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
3000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Наличие:
727 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 22,78
FZT651TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
175 МГц
Наличие:
714 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 17,49
NTF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.3нКл
Входная емкость:
492пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
677 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,37
STN3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3А 0.16 Ом, 2,6Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
528 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 57,90
STN4NF20L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
500 шт

Под заказ:
893 шт
Цена от:
от 22,91
FZT653TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
175 МГц
Наличие:
382 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 22,23