sot32

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot32 (312)
BSS84AKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 702 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 10,04
BAS40-06W,115 Диод Шоттки х2 40V 0.12А 0.5V общ. анод
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
5 200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,93
BAV199W-7 Диод выпрямительный сборка 85В 140мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
5 191 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 шт
Цена от:
от 2,62
BAT46WFILM Диод Шоттки 100В 150мА
Производитель:
ST Microelectronics
Обратное напряжение:
100В
Средний прямой ток:
150мА
Прямое напряжение (макс.):
1В при 250мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Обратный ток утечки:
5мкА при 75В
Емкость:
10пФ при 1МГц
Наличие:
4 834 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,38
BC858W,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 657 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,48
BAT54AW,115 Диод Шоттки х2 30V 0.2A 0.8V общ. анод
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
4 541 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,70
NX3008NBKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.68нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 223 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,49
BAT30CWFILM Диод Шоттки х2 30V 0.3A 0.53V общ. катод
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
3 869 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,07
PDTC114YU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
3 752 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,96
BC817W,115 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 727 шт

Под заказ:
10 633 шт
Цена от:
от 1,18
BAT54W,115 Диод Шоттки 30В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Обратное напряжение:
30В
Средний прямой ток:
200мА
Прямое напряжение (макс.):
800мВ при 100мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Время восстановления:
5нс
Обратный ток утечки:
2мкА при 25В
Емкость:
10пФ при 1В на 1МГц
Наличие:
3 450 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,64
BAT54SWFILM Диод Шоттки х2 40V 0.3 А послед. соед.
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
3 448 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
97 364 шт
Цена от:
от 7,78
PDTC123JU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
3 424 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,97
PDTA114EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
3 233 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,66
BC859CW,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,52