sot323

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot323 (289)
BC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
35 634 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
703 143 шт
Цена от:
от 1,40
BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
30 958 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
459 499 шт
Цена от:
от 0,99
BAT54SWT1G Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
26 910 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
157 482 шт
Цена от:
от 2,01
BC857CW,115 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
24 784 шт

Под заказ:
5 919 шт
Аналоги:
63 457 шт
Цена от:
от 2,14
BSS138W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 226 шт

Под заказ:
1 700 шт
Аналоги:
460 660 шт
Цена от:
от 2,46
BAS16WS Диод общего применения 75В 200мA
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
19 488 шт

Под заказ:
323 741 шт
Аналоги:
31 962 шт
Цена от:
от 0,40
BC817-40W,115 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.2W
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
18 666 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
200 816 шт
Цена от:
от 2,78
MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
13 652 шт

Под заказ:
31 084 шт
Цена от:
от 2,00
PDTC114EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
13 358 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,07
MUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
12 385 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,86
BC807-40 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.2Вт
Производитель:
Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd.
Наличие:
12 206 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
39 145 шт
Цена от:
от 0,63
BAT54CWT Диод Шоттки х2 30V 0.3A 0.8V общ. катод
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
10 800 шт

Под заказ:
411 801 шт
Цена от:
от 1,00
BAT54WT1G Диод Шоттки 30В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Обратное напряжение:
30В
Средний прямой ток:
200мА
Прямое напряжение (макс.):
800мВ при 100мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Время восстановления:
5нс
Обратный ток утечки:
2мкА при 25В
Емкость:
10пФ при 1В на 1МГц
Наличие:
10 107 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,81
BC847BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
10 006 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
149 559 шт
Цена от:
от 2,34
BAT54SWT Диод Шоттки х2 40V 0.2 А послед. соед.
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
9 000 шт

Под заказ:
148 482 шт
Аналоги:
26 910 шт
Цена от:
от 1,04