sot323

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot323 (693)
MUN5235T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
10 299 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,06
MUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
6 047 шт

Под заказ:
45 000 шт
Цена от:
от 2,51
SBAV70WT1G Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
100
Средний прямой ток, А:
0.2
Максимальное прямое напряжение, В:
1.25
Время восстановления, нс:
6
Обратный ток утечки, мкА:
0,1
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
6 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,38
SMUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
6 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,67
MMBTA56WT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
5 721 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
207 295 шт
Цена от:
от 1,30
2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 566 шт

Под заказ:
30 000 шт
Цена от:
от 3,44
SBC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 820 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
909 125 шт
Цена от:
от 2,78
BAV99RWT1G Диод выпрямительный сборка 70В 215мА
Производитель:
ON Semiconductor
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
70
Средний прямой ток, А:
0.215
Максимальное прямое напряжение, В:
1.25
Быстродействие, нс:
500
Время восстановления, нс:
6
Обратный ток утечки, мкА:
2,5
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
33 000 шт
Цена от:
от 3,44
M1MA142WKT1G Диод выпрямительный сборка 80В 100мА
Производитель:
ON Semiconductor
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
80
Средний прямой ток, А:
0.1
Максимальное прямое напряжение, В:
1.2
Время восстановления, нс:
3
Обратный ток утечки, мкА:
0,1
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
66 000 шт
Цена от:
от 1,67
MMBD717LT1G Диоды Шоттки сборка 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 7,07
MUN5232T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
42 000 шт
Цена от:
от 2,71
NTS4173PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
290мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.1нКл
Входная емкость:
430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
12 000 шт
Цена от:
от 10,35
PESD1CAN-UX TVS диод защитный 24В пиковое рабочее 50В ограничение SC70
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
0 шт

Под заказ:
7 630 шт
Цена от:
от 14,27
SMUN5214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 7,84
MMBT4403WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
42 000 шт
Цена от:
от 2,60