sot323

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot323 (302)
PDTC114YU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
3 752 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,96
BC817W,115 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 727 шт

Под заказ:
10 633 шт
Цена от:
от 1,18
BAT54W,115 Диод Шоттки 30В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Обратное напряжение:
30В
Средний прямой ток:
200мА
Прямое напряжение (макс.):
800мВ при 100мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Время восстановления:
5нс
Обратный ток утечки:
2мкА при 25В
Емкость:
10пФ при 1В на 1МГц
Наличие:
3 450 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,64
BAT54SWFILM Диод Шоттки х2 40V 0.3 А послед. соед.
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
3 448 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
97 364 шт
Цена от:
от 7,78
PDTC123JU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
3 424 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,97
PDTA114EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
3 233 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,66
BC859CW,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,52
BC849CW,115 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 988 шт

Под заказ:
851 шт
Цена от:
от 1,09
BAS70-05WFILM Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
2 910 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 637 шт
Цена от:
от 4,79
NX3008PBKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 850 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,09
1PS300,115 Диод выпрямительный сборка 80В 170мА
Производитель:
NEXPERIA
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
80
Средний прямой ток, А:
0.17
Максимальное прямое напряжение, В:
1.2
Время восстановления, нс:
4
Обратный ток утечки, мкА:
0,5
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 772 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,05
BAS70W,115 Диод Шоттки 70В 70мА
Производитель:
NEXPERIA
Обратное напряжение:
70В
Средний прямой ток:
70мА
Прямое напряжение (макс.):
1В при 15мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Обратный ток утечки:
10мкА при 70В
Емкость:
2пФ при 1МГц
Наличие:
2 755 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,62
BAS40-04W,115 Диод Шоттки х2 40V 0.12А 0.5V послед. соед.
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
2 739 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,85
2N7002PW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.31А 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 649 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,65
BFR193WH6327 Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц
Производитель:
Infineon Technologies
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
80mA
Наличие:
2 591 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,45