sot323

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot323 (289)
BSS84AKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 925 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,28
BC860CW,115 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 781 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,79
NX3008NBKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.68нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 409 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,23
BAS40-06W,115 Диод Шоттки х2 40V 0.12А 0.5V общ. анод
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
5 200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,74
PDTC123JU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
4 881 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,74
BAT46WFILM Диод Шоттки 100В 150мА
Производитель:
ST Microelectronics
Обратное напряжение:
100В
Средний прямой ток:
150мА
Прямое напряжение (макс.):
1В при 250мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Обратный ток утечки:
5мкА при 75В
Емкость:
10пФ при 1МГц
Наличие:
4 834 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,21
BC858W,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 657 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,44
BAT30CWFILM Диод Шоттки х2 30V 0.3A 0.53V общ. катод
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
4 030 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5,62
PDTA114EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
3 283 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,16
BAS70-05WFILM Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
3 019 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 122 шт
Цена от:
от 4,48
BC849CW,115 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 009 шт

Под заказ:
851 шт
Цена от:
от 0,99
1PS300,115 Диод выпрямительный сборка 80В 170мА
Производитель:
NEXPERIA
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
80
Средний прямой ток, А:
0.17
Максимальное прямое напряжение, В:
1.2
Время восстановления, нс:
4
Обратный ток утечки, мкА:
0,5
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
3 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,98
BC859CW,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 8,81
BAS70W,115 Диод Шоттки 70В 70мА
Производитель:
NEXPERIA
Обратное напряжение:
70В
Средний прямой ток:
70мА
Прямое напряжение (макс.):
1В при 15мА
Быстродействие:
Не нормируется при токе менее 200мА
Обратный ток утечки:
10мкА при 70В
Емкость:
2пФ при 1МГц
Наличие:
2 888 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,50
NX3008PBKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 850 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,78