to220 купить оптом и в розницу

IRFB7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 294Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм

Мощность макс.:

294Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

324нКл

Входная емкость:

10820пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 381 шт

Под заказ:

2 450 шт

Цена от:

от 40,34₽

STPS10H100CT Диоды Шоттки сборка 100В

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

847 шт

Под заказ:

2 450 шт

Цена от:

от 42,51₽

MBR20100CT Диод Шоттки х2 100V 2x10A 0.85V общ. катод

Производитель:

Master Instrument Corporation

Наличие:

699 шт

Под заказ:

185 шт

Аналоги:

22 501 шт

Цена от:

от 21,47₽

IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

225нКл

Входная емкость:

7330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

698 шт

Под заказ:

9 320 шт

Цена от:

от 32,67₽

STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

535пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

617 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 25,88₽

G3S06506A Диод Шоттки SiC 650В 6А (Tc=157°C)

Производитель:

Global Power Technolgy

Обратное напряжение:

650 В

Прямой ток:

21.5 А

Наличие:

606 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 62,57₽

VS-16CTQ100-M3 Диод Шоттки х2 100V 2х8А общий катод

Производитель:

Vishay

Наличие:

510 шт

Под заказ:

1 200 шт

Цена от:

от 89,47₽

STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1154пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

454 шт

Под заказ:

900 шт

Цена от:

от 115,32₽

STGP6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

15 А

Импульсный ток коллектора макс.:

21 А

Макс. рассеиваемая мощность:

56 Вт

Переключаемая энергия:

20 мкДж

Наличие:

424 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 32,58₽

IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

404 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 45,40₽

G3S06004J Диод Шоттки SiC 600В 4A (Tc=149°C)/11A(Tc=25°C)

Производитель:

Global Power Technolgy

Обратное напряжение:

600 В

Прямой ток:

4 А

Наличие:

314 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 42,52₽

STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

310 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 95,69₽

TS820-600T Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень)

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение закрытого состояния:

600В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

800мВ

Ток управления (Igt) (макс.):

200мкА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.6В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

5А

Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):

8А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

5мА

Ток утечки (макс.):

5мкА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

70А, 73А

Тип тиристора:

Повышенной чувствительности

Наличие:

233 шт

Под заказ:

109 шт

Цена от:

от 99,04₽

STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

216 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 136,00₽

TIP147T Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

211 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

689 шт

Цена от:

от 34,18₽