to220f

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220f (743)
IRF9Z14PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
219 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 94,66
IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
279нКл
Входная емкость:
10034пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
215 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,23
IRL1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
214 шт

Под заказ:
195 шт
Цена от:
от 175,43
IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
214 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 289,42
TIP120 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
211 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 47,27
MJE15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
209 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 117,39
STP5N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
3.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом @ 1.5А, 10В
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
12.5нКл @ 10В
Входная емкость:
220пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
209 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 111,68
BTA10-600BWRG Симистор 600В 10А 50мА 3Q (бесснабберный)
Производитель:
ST Microelectronics
Triac Type:
Alternistor - Snubberless
Voltage - Off State:
600V
Current - On State (It (RMS)) (Max):
10A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):
1.3V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):
100A, 105A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):
50mA
Current - Hold (Ih) (Max):
50mA
Наличие:
209 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
508 шт
Цена от:
от 80,09
MUR620CTG Диод выпрямительный сборка 200В 3А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
200
Средний прямой ток, А:
3
Максимальное прямое напряжение, В:
0.975
Быстродействие, нс:
500
Время восстановления, нс:
35
Обратный ток утечки, мкА:
5
Тип монтажа:
в отверстие
Наличие:
207 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 21,18
IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
207 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 252,12
IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
203 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 87,94
STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
202 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 150,38
IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
201 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 248,24
STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 103,14
AUIRF1324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
7590пФ @ 24В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 243,17