to220f

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220f (891)
BTA10-600BWRG Симистор 600В 10А 50мА 3Q (бесснабберный)
Производитель:
ST Microelectronics
Triac Type:
Alternistor - Snubberless
Voltage - Off State:
600V
Current - On State (It (RMS)) (Max):
10A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):
1.3V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):
100A, 105A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):
50mA
Current - Hold (Ih) (Max):
50mA
Наличие:
209 шт

Под заказ:
950 шт
Аналоги:
1 410 шт
Цена от:
от 75,15
MUR620CTG Диод выпрямительный сборка 200В 3А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип Диода:
стандартный
Максимальное обратное напряжение, В:
200
Средний прямой ток, А:
3
Максимальное прямое напряжение, В:
0.975
Быстродействие, нс:
500
Время восстановления, нс:
35
Обратный ток утечки, мкА:
5
Тип монтажа:
в отверстие
Наличие:
207 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 19,86
STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
202 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 28,40
IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
198 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 213,62
AUIRF1324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
7590пФ @ 24В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 228,13
TIP147T Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
80 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
679 шт
Цена от:
от 34,92
IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 126,73
MBR4015CTLG Диод Шоттки х2 15В 40А 0.5В общий катод
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,14
IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
192 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 97,82
TYN608RG Тиристор 600В 8А 15мА
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение закрытого состояния:
600В
Напряжение управления (Vgt) (макс.):
1.3В
Ток управления (Igt) (макс.):
15мА
Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):
1.6В
Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):
Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):
Ток удержания (Ih) (Макс.):
30мА
Ток утечки (макс.):
5мкА
Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):
95А, 100А
Тип тиристора:
стандартный
Наличие:
191 шт

Под заказ:
2 150 шт
Цена от:
от 35,93
IRG4BC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
190 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 198,21
TYN625RG Тиристор 600В 25А 40мА
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение закрытого состояния:
600В
Напряжение управления (Vgt) (макс.):
1.3В
Ток управления (Igt) (макс.):
40мА
Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):
1.6В
Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):
16А
Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.):
25А
Ток удержания (Ih) (Макс.):
50мА
Ток утечки (макс.):
5мкА
Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):
300А, 314А
Тип тиристора:
стандартный
Наличие:
189 шт

Под заказ:
1 400 шт
Цена от:
от 73,97
IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
185 шт

Под заказ:
9 шт
Цена от:
от 139,20
BT139-600,127 Симистор 600В 16А 35мА 4Q
Производитель:
WeEn Semiconductors
Triac Type:
Standard
Voltage - Off State:
600V
Current - On State (It (RMS)) (Max):
16A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):
1.5V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):
155A, 170A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):
35mA
Current - Hold (Ih) (Max):
45mA
Наличие:
184 шт

Под заказ:
160 шт
Цена от:
от 49,65
IRFB4019PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 96,58